在找雙極型晶體管檢測機構(gòu)？百檢網(wǎng)為您提供雙極型晶體管檢測服務(wù)，專業(yè)工程師對接確認項目、標準后制定方案，包括雙極型晶體管檢測周期、報價、樣品等，確認無誤后安排寄樣檢測，雙極型晶體管檢測常規(guī)周期3-15個工作日，歡迎咨詢。

檢測樣品：紡織品、化妝品、食品、農(nóng)產(chǎn)品、絕緣工具、五金件等

報告資質(zhì)：CNAS/CMA/CAL

報告周期：常規(guī)3-15個工作日，特殊樣品、檢測項目除外。

檢測費用：根據(jù)檢測項目收費，詳情請咨詢百檢網(wǎng)。

雙極型晶體管檢測項目：

發(fā)射機-基極截止電流（直流法）IEBO,發(fā)射極電流為零時的集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO,基極-發(fā)射極飽和電壓VBESat,集電極-發(fā)射極截止電流（直流法）ICEO,集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat,集電極-基極截止電流（直流法）ICBO,集電極電流為零時的發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO,發(fā)射極-基極擊穿電壓,發(fā)射極-基極截止電流,基極-發(fā)射極飽和電壓,正向電流傳輸比,集電極-發(fā)射極截止電流,集電極-發(fā)射極飽和電壓,集電極-基極擊穿電壓,集電極-基極截止電流,集電極-射極擊穿電壓,共發(fā)射極正向電流傳輸比的靜態(tài)值,基極-發(fā)射極電壓,開關(guān)時間,集電極-發(fā)射極擊穿電壓,集電極-基射極極擊穿電壓,發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO,發(fā)射極-基極截止電流IEBO,基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat,放大倍數(shù)HFE,集電極-發(fā)射極截止電流ICEO,集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat,集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO,集電極-基極截止電流ICBO,擊穿電壓V(BR)CBO,發(fā)射極-基極截止電流IEBO,基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat,集電極-發(fā)射極截止電流ICEO,集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat,集電極-基極截止電流ICBO,發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO,基極-發(fā)射極電壓VBE,正向電流傳輸比h21E,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO,集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO,噪聲系數(shù),時間參數(shù),熱阻(結(jié)-管殼),特征頻率,電壓參數(shù),電容參數(shù),電流傳輸比參數(shù),電流參數(shù),負載上的輸出功率,輸出導納參數(shù),阻抗參數(shù),集電極效率,電流輸出比,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO,共發(fā)射極正向電流傳輸比,發(fā)射極-基級擊穿電壓,集電極-發(fā)射級擊穿電壓,集電極-基級擊穿電壓,共發(fā)射正向電流傳輸比,集電極-基極擊穿電壓,發(fā)射極-基極擊穿電壓,共發(fā)射極正向電流傳輸比h21E,發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO,發(fā)射極-基極截止電流IEBO,基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CE,集電極-發(fā)射極截止電流ICEO,集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat,集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO,集電極-基極截止電流ICBO,基極-發(fā)射極擊穿電壓,共發(fā)射極正向電流傳輸比（h21E）,發(fā)射極-基極擊穿電壓（V(BR)EBO）,發(fā)射極-基極截止電流（IEBO）,基極-發(fā)射極飽和電壓(VBEsat）,集電極-發(fā)射極擊穿電壓（V(BR)CEO),集電極-發(fā)射極截止電流(ICEO),集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCEsat）,集電極-基極擊穿電壓（V(BR)CBO）,集電極-基極截止電流（ICBO）,發(fā)射極—基極擊穿電壓,集電極—發(fā)射極擊穿電壓,集電極—基極擊穿電壓,共發(fā)射極正向電流傳輸比(輸出電壓保持不變)(直流或脈沖法）(h21E),發(fā)射極-基極截止電流(直流法)(IEBO),發(fā)射極電流為零時的集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO,基極-發(fā)射極電壓(直流法)(VBE),基極-發(fā)射極飽和電壓(直流法) (VBEsat),集電極-發(fā)射極截止電流(直流法)(ICEO、ICER、ICEX、ICES),集電極-發(fā)射極飽和電壓(直流法) (VCEsat),集電極-基極截止電流(直流法)(ICBO),集電極電流為零時的發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO,發(fā)射極-基極擊截止電流,基極-發(fā)射極飽和壓降,集電極-發(fā)射極飽和壓降,共發(fā)射極正向電流傳輸比（輸出電壓保持不變）（直流或脈沖法） h21E,發(fā)射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO,發(fā)射極-基極截止電流 IEBO,基極-發(fā)射極飽和電壓 VBE(sat),集電極-發(fā)射極擊穿電壓(基極開路) V（BR）CEO,集電極-發(fā)射極截止電流 ICEO,集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat）,集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO,集電極-基極截止電流 ICBO,發(fā)射極-基極擊穿電壓V（BR）EBO,發(fā)射極-基極截止電流IEBO,基極-發(fā)射極飽和壓降VBEsat,基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat,正向電流傳輸比H21E,正向電流傳輸比HFE,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V（BR）CEO

百檢檢測流程：

1、電話溝通、確認需求;

2、推薦方案、確認報價;

3、郵寄樣品、安排檢測;

4、進度跟蹤、結(jié)果反饋;

5、出具報告、售后服務(wù);

6、如需加急、優(yōu)先處理;

雙極型晶體管檢測標準：

1、GJB128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法3011

2、GB/T 4587-1994 IEC 747-7-1988 半導體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管 第IV章 第1節(jié)9.6

3、GB/T4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管 第Ⅳ章 第1節(jié)10.2

4、GB/T4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管 第Ⅳ章第1節(jié)2.2

5、GJB 128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法3011

6、GB/T4587-94 半導體器件分立器件第7部分雙極性型晶體管 第Ⅳ章第10.1，10.2條

7、GB/T 4589.1-2006 半導體器件 第10部分 分立器件和集成電路總規(guī)范 4

8、GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 半導體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管 第IV章 第1節(jié)10.2

9、GB/T 4587-1994 半導體器件 分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管 第Ⅳ章 第1節(jié)

10、GB/T 4587-94(IEC 60747-7:1988) 半導體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管 Ⅳ1.14

一份檢測報告有什么用?

產(chǎn)品檢測報告主要反映了產(chǎn)品各項指標是否達到標準中的合格要求，能夠為企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)、投標、電商平臺上架、商超入駐、學校科研提供客觀的參考。

百檢第三方機構(gòu)檢測服務(wù)包括食品、環(huán)境、醫(yī)療、建材、電子、化工、汽車、家居、母嬰、玩具、箱包、水質(zhì)、化妝品、紡織品、日化品、農(nóng)產(chǎn)品等多項領(lǐng)域檢測服務(wù)，歡迎咨詢。